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進(jìn)口晶振

首頁(yè)進(jìn)口晶振石英晶振,貼片晶振,X1A000121000800晶振,FC-1610AN晶振

    石英晶振,貼片晶振,X1A000121000800晶振,FC-1610AN晶振

  • 產(chǎn)品型號(hào):74195936
  • 晶振頻率:32.768KHZ
  • 晶振尺寸:1.65*1.05*0.5mm詳細(xì)資料參考PDF
  • 產(chǎn)品應(yīng)用: 愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振,愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSONYOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶振,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,壓控晶體振蕩器(VCXO)、...

  愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振,愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON—YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶振,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO).1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).
FC-146晶振,FC-1610AN晶振系列編碼

LxWxH/尺寸 Model/型號(hào) 編碼 Frequency/頻率 Freq.tol./頻率 @+25°C Oper. Temper. Range/工作溫度 ESR[MAX]  等效串聯(lián)電阻 Drive Level[Max]驅(qū)動(dòng)電平 Tumover Temperature Parabolic Coefficient Freq.Aging@+25C[Max] Terminal Plating
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1461000100 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1461000200 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1461000400 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1461000600 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1461005200 32.768000 kHz +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Sn-Bi
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462000100 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462000200 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462000300 32.768000 kHz +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462000400 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462000500 32.768000 kHz +/-100 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462000600 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462000900 32.768000 kHz +/-50.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462001000 32.768000 kHz +/-50.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462001100 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462001200 32.768000 kHz +/-30.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462001500 32.768000 kHz +/-30.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462001600 32.768000 kHz +/-50.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462001700 32.768000 kHz +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462001800 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462002200 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462003700 32.768000 kHz +/-100 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462005300 32.768000 kHz +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q13MC1462005900 32.768000 kHz +/-10.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 65 KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Pure-Sn
7 x 1.5 x 1.4 mm MC-146 Q14MC1461001300 32.000000 kHz +/-50.0 ppm -40 to +85 °C ≤ TBD KΩ ≤ 1 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-5 ppm Sn-Bi
1.65 x 1.05 x 0.5 mm FC1610AN X1A000121000800 32.768000 kHz +/-20.0 ppm -40 to +85 °C ≤ 90 KΩ ≤ 0.5 µW +25ºC +/-5ºC -0.04 x 10^-6/°C² +/-3 ppm Au

  
石英晶振,貼片晶振,X1A000121000800晶振,FC-1610AN晶振是用到小型通信設(shè)備的電子元器件產(chǎn)品,頻率為32.768KHZ國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)參數(shù).標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差為20PPM.年老化率為10 萬(wàn)分之3,常用負(fù)載電容為12.5PF,也有6PF,9PF可按需求訂購(gòu).裸存溫度范圍可達(dá)-55~+125度,FC-1610AN晶振ESR阻值為最大90
.如需采購(gòu)可聯(lián)系我司業(yè)務(wù)人員.官網(wǎng)http://www.cuifesek.cn 
項(xiàng)目 符號(hào) FC-1610AN晶振產(chǎn)品規(guī)格 條件/備注
標(biāo)稱(chēng)頻率范圍 f_nom 32.768kHz  
貯存溫度 T_stg -55°C至+ 125°C 存儲(chǔ)為裸產(chǎn)品。
工作溫度 T_use -40°C至+ 85°C  
驅(qū)動(dòng)程度 DL 0.1μWTyp。
(最大0.5μW)
 
頻率容差(標(biāo)準(zhǔn)) f_tol ±20×10 -6 + 25°C,DL =0.1μW
周轉(zhuǎn)溫度 + 25°C±5°C  
拋物線系數(shù) -0.04×10 -6 /°C 2最大  
負(fù)載電容 CL 9pF,12.5pF 請(qǐng)明確說(shuō)明
運(yùn)動(dòng)阻力(ESR) R1 最大90kΩ  
運(yùn)動(dòng)電容 C1 6.0fF Typ。  
分流電容 C0 1.2pF典型。  
頻率老化 f_age ±3×10 -6 /年最大 + 25°C,第一年


愛(ài)普生KHZ系列部分型號(hào)表
模型 尺寸 輸出頻率范圍 頻率容差 工作溫度
[mm] [kHz] [x10^-6]@+25℃ [℃]
FC1610AN晶振 1.6x1.0x0.5 32.768 +/-20 -40到+85
FC-12M晶振 2.05x1.2x0.6 32.768  +/-20+/-30  -40到+85
(32至77.5) (+/-20+/-30)
FC-135R 晶振 3.2x1.5x0.8 32.768 +/-20 -40至+85 
(低ESR 對(duì)比FC -135) *請(qǐng)與我們聯(lián)系,最高可達(dá)+105
   
FC-135晶振 3.2x1.5x0.8 32.768  +/-20  -40至+85 
(32至77.5) (+/-20) *請(qǐng)與我們聯(lián)系,最高可達(dá)+105
FC-13A 晶振 3.2x1.5x0.9 32.768 +/-20+/-30+/-50 -40到+125
(AEC-Q200)
FC-12D晶振 2.05x1.25x0.35 32.768 +/-20 -40到+85
MC-146晶振 7.0x1.5x1.4 32.768  +/-20+/-50  -40到+85
(32至100) (+/-50+/-100)
MC-306晶振 8.0x3.8x2.54 32.768  +/-20+/-50  -40到+85
(20至120) (+/-50+/-100)
MC-405晶振 10.41x4.06x3.6 32.768  +/-20+/-50  -40到+85
(20至120) (+/-50+/-100)
MC-406晶振 10.41x4.06x3.6 32.768  +/-20+/-50  -40到+85
(20至120) (+/-50+/-100)
C-002RX晶振 Φ2.0H:6.0 32.768 +/-20 -10到+60
C-004R晶振 Φ1.5H:5.0 32.768 +/-20 -10到+60
C-005R晶振 Φ1.2H:4.6 32.768 +/-20 -10到+60
C-2-TYPE Φ2.0H:6.0 20至120 +/-20+/-50+/-100 -10到+60
MC-30A 晶振 8.0x3.8x2.54 32.768  +/-20+/-50  -40到+85
(AEC-Q200) (20至120) (+/-50+/-100)

存儲(chǔ)事項(xiàng)
 (1)   在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.
正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
 (2)   請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.
陶瓷包裝產(chǎn)品
  在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
(2)陶瓷封裝產(chǎn)品
  在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
(3)柱面式產(chǎn)品
  石英晶振,貼片晶振,X1A000121000800晶振,FC-1610AN晶振
,產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開(kāi)裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞.當(dāng)晶體產(chǎn)品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂.當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正.在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞.所以在此處請(qǐng)不要施加壓力.另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上. 
●安裝示例
安裝示例.png
 (4)DIP產(chǎn)品
已變形的引腳不能插入板孔中.請(qǐng)勿施加過(guò)大壓力,以免引腳變形.
(5)SOJ產(chǎn)品和SOP產(chǎn)品
請(qǐng)勿施加過(guò)大壓力,以免引腳變形.已變形的引腳焊接時(shí)會(huì)造成浮起.尤其是SOP產(chǎn)品需要更加小心處理.


  愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振通過(guò)追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來(lái)推動(dòng)具有領(lǐng)先性的環(huán)保活動(dòng),把降低 環(huán)境負(fù)荷作為一種顧客價(jià)值提供給顧客.石英晶振,貼片晶振,X1A000121000800晶振,FC-1610AN晶振
  創(chuàng)造并提供專(zhuān)研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品;并且構(gòu)筑和革新既可以降低 環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動(dòng)。
  愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基準(zhǔn),通過(guò)持續(xù)性的展開(kāi)環(huán)保活動(dòng)來(lái)預(yù)防污染。
  在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開(kāi)活動(dòng)的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)?;顒?dòng)的水平。
  愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振通過(guò)與地區(qū)的交流及社會(huì)貢獻(xiàn)活動(dòng),為地區(qū)的環(huán)保做貢獻(xiàn)。
  將環(huán)保活動(dòng)的信息向公司內(nèi)外公開(kāi),積極努力的與地區(qū)社會(huì)及相關(guān)人員建立信賴關(guān)系,為社會(huì)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
  通過(guò)此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達(dá)的同時(shí),也向公司外部公開(kāi)。

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